Klasifikacija sintranega silicijevega karbida:
(1) Sintranje brez tlaka (2) sintranje z vročim stiskanjem (3) reakcijsko sintranje
Primerjava treh običajnih metod sintranja:
1. Sintranje z vročim stiskanjem: Lahko se pripravijo samo deli silicijevega karbida s preprostimi oblikami, ki imajo nizko proizvodno učinkovitost in ne omogočajo velike komercialne proizvodnje.
2. Sintranje brez tlaka (normalno sintranje pod tlakom): Je široko sprejeta in ugodna metoda sintranja, ki lahko ustvari zapletene oblike in velike dele silicijevega karbida.
3. Reakcijsko sintranje: Možno je pripraviti dele silicijevega karbida z zapletenimi oblikami, temperatura sintranja pa je nizka, vendar visokotemperaturna učinkovitost izdelka ni dobra.
Značilnosti: Če je dovoljen popoln Si, potem v celotnem postopku ni mogoče dobiti materiala z ničelno poroznostjo in brez geometrijskih sprememb.
V dejanski proizvodnji mora imeti zeleno telo prekomerne pore, da prepreči nastanek plinopropustne plasti SiC zaradi prvega infiltracijskega procesa in s tem prepreči nadaljevanje sintranja reakcije. Odvečne pore v postopku reakcijskega sintranja so prekomerne. Si se napolni, da se pridobi neporozen gost izdelek.
Tri vrste sintranja keramike SiC imajo svoje prednosti, danes pa s hitrim razvojem tehnologije oz.
Nujno je treba izboljšati zmogljivost keramike SiC, nenehno izboljševati proizvodno tehnologijo, zmanjševati proizvodne stroške in doseči SiC
Sintranje keramike pri nizki temperaturi. Da bi zmanjšali porabo energije, zmanjšali proizvodne stroške in pospešili industrializacijo keramičnih izdelkov SiC.
