Skoraj vse, kar lahko preberemo, predstavlja silicijev karbid: silicijev karbid ima razmik med 2,8-kratnim pasom od silicija (široka vrzel) in 3,09 voltov elektronov. Moč dielektričnega razpada je 5,3-krat večja od silicija, do 3,2 MV / cm. Njegova toplotna prevodnost je 3,3-krat večja od silicija, kar je 49w / cm.k. Schottky-jeve diode in tranzistorji s poljskim efektom MOS, izdelani iz silicijevega karbida, so za velikost tanjši od enakih napetostno odpornih silicijevih naprav. Koncentracija nečistoče je lahko dva reda velikosti silicija. Tako je impedanca naprave na osnovi silicijevega karbida le ena stotina površine silicijeve naprave. Njegova odpornost proti pomiku je skoraj enaka polni upornosti naprave. Zato je kalorična vrednost naprave iz silicijevega karbida izjemno nizka. To pomaga zmanjšati izgube prevodnosti in stikala, delovna frekvenca pa je običajno več kot 10-krat večja od silicijevih naprav. Poleg tega imajo polprevodniki silicijevega karbida že po svoji meri močno odpornost proti sevanju. V zadnjih letih so se napajalne naprave, kot so IGBT-ji (izolirani zaporni bipolarni tranzistorji) iz silicijevega karbidnega materiala, uporabljali v postopkih, kot je manjšinsko podbrizganje, da bi zmanjšali impedanco stanja na eno desetino od običajnih silicijevih naprav. Poleg tega ima naprava iz silicijevega karbida majhno toploto in tako ima naprava iz silicijevega karbida odlično toplotno prevodnost. Napajalne naprave iz silicijevega karbida lahko delujejo tudi pri visoki temperaturi 400 ° C. Z majhnimi napravami lahko nadzoruje velike tokove. Tudi delovna napetost je veliko višja. https://www.hshightec.com/
